发明名称 |
PROCEDE ET APPAREIL D'HYDROGENATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS |
摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS AINSI QU'UN APPAREIL POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE.LE TRAITEMENT CONSISTE A CREER UN PLASMA D'HYDROGENE AU MOYEN D'UN SYSTEME APTE A ELOIGNER DU DISPOSITIF TRAITE LES PARTICULES DE PLASMA POLARISEES POSITIVEMENT, UN TEL SYSTEME POUVANT ETRE UN SYSTEME CAPACITIF PRESENTANT DEUX ELECTRODES PLANES ET PARALLELES POLARISEES DE FACON A CONSTITUER UNE ANODE ET UNE CATHODE, LE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ETANT ALORS DISPOSE ENTRE LES ELECTRODES, AU NIVEAU DE L'ANODE ET, DE PREFERENCE CHAUFFE PENDANT LA CREATION DU PLASMA.APPLICATION A LA SUPPRESSION DES DEFAUTS PRESENTES PAR LES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS.
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申请公布号 |
FR2461359(A1) |
申请公布日期 |
1981.01.30 |
申请号 |
FR19790017598 |
申请日期 |
1979.07.06 |
申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
ANDRE CHENEVAS-PAULE, VINCENT LE GOASCOZ ET PIERRE VIKTOROVITCH |
分类号 |
H01L21/322;H01L21/30;H01L21/3105;H01L21/324;(IPC1-7):01L21/322;01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/322 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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