发明名称 PROCEDE ET APPAREIL D'HYDROGENATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
摘要 L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS AINSI QU'UN APPAREIL POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE.LE TRAITEMENT CONSISTE A CREER UN PLASMA D'HYDROGENE AU MOYEN D'UN SYSTEME APTE A ELOIGNER DU DISPOSITIF TRAITE LES PARTICULES DE PLASMA POLARISEES POSITIVEMENT, UN TEL SYSTEME POUVANT ETRE UN SYSTEME CAPACITIF PRESENTANT DEUX ELECTRODES PLANES ET PARALLELES POLARISEES DE FACON A CONSTITUER UNE ANODE ET UNE CATHODE, LE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ETANT ALORS DISPOSE ENTRE LES ELECTRODES, AU NIVEAU DE L'ANODE ET, DE PREFERENCE CHAUFFE PENDANT LA CREATION DU PLASMA.APPLICATION A LA SUPPRESSION DES DEFAUTS PRESENTES PAR LES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS.
申请公布号 FR2461359(A1) 申请公布日期 1981.01.30
申请号 FR19790017598 申请日期 1979.07.06
申请人 COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE 发明人 ANDRE CHENEVAS-PAULE, VINCENT LE GOASCOZ ET PIERRE VIKTOROVITCH
分类号 H01L21/322;H01L21/30;H01L21/3105;H01L21/324;(IPC1-7):01L21/322;01L21/306 主分类号 H01L21/322
代理机构 代理人
主权项
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