含有电荷耦合器件的半导体存储器

摘要

本发明涉及一种SPS型CCD存储器，特别是用于存储视频图象。如果设计存储器用于多功能部件或系统，也许碰巧存储容量过大。于是，这些多余的行就以提高了速率传输，通过存储器。 为了避免在以一种提高了的速率这种模式中，导致控制数据传输到串行输出寄存器的非交错电极下面出现电荷积累，所以，按照两种不同的过程，产生用于并行区奇数沟道和用于偶数沟道的非交错时钟脉冲，通过调整时差依次连续实现二个不同的过程。

主权项

1、一种半导体存储器，包括一种SPS型电荷耦合器件，电荷耦合器件具有一串行输入寄存器、一并行区和一串行输出寄存器；在并行区每行可存储的数据数量，是串行输入寄存器和串行输出寄存器能够存储的数据数量的n倍(其中n=整数，且大于或等于2)；另一方面，在并行区和串行输出寄存器之间的过渡区，存在一种电极结构(称为非交错电极)，借此，可把在并行区的一行数据，分成n辅助行，使数据依次传输入串行输出寄存器中；并行区设有时钟电压装置，借助于该装置，数据以可调整的速率通过并行区；其特征在于，提供用于根据n个不同的程序启动非交错电极的装置，其每一程序相应于一辅助行和根据数据通过并行区到非交错电极的速率决定的可调的时差依次连续的被完成。