| 发明名称 |
Improved field-effect transistors and methods of constructing such transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2052154(A) |
申请公布日期 |
1981.01.21 |
| 申请号 |
GB19800020981 |
申请日期 |
1980.06.26 |
| 申请人 |
NATIONAL RESEARCH DEVELOPMENT CORP |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/764;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/26 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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