| 摘要 |
L'invention a pour but de fixer, dès la première opération de masquage, la position et les dimensions de la grille d'un transistor à effet de champ, ainsi que les intervalles entre source et grille, grille et drain. A cet effet, on réalise un masque comportant des fenêtres de source, grille et drain, en utilisant un premier matériau (3), isolant ou semi-isolant, puis on comble les trois fenêtres à l'aide d'un deuxième matériau (5). On dépose les contacts ohmiques de source (81) et de drain (82) dans les fenêtres correspondantes réouvertes par attaque sélective du deuxième matériau (5) effectuée après masquage de la partie de la couche (5) située au-dessus de la fenêtre (32) non réouverte. Une deuxième attaque sélective après masquage des contacts (81) et (82) permet de déposer un contact de grille de type Schottky. Application aux transistors à effet de champ à très haute fréquence. |
