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<p>Die Anmeldung beschreibt einen Thyristor, bei dem der mittlere der drei p/nÜbergänge einer p/n/p/n-Struktur durch plastische Verformung des Halbleitergitters heregestellt ist. Dieser p/n-Übergang besteht aus einer Vielzahl elektrisch paralleler, sehr kleinflächiger p/n-Übergänge, die eine hohe zulässige Leistungsdichte haben. Der Thyristor eignet sich besonders gut für Hochfrequenz-Leistungs-Anwendungen.</p> |
