VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GEGENSEITIG ISOLIERTEN INSELN AUS MONOKRISTALLINEM SILIZIUM.,申请号DE19853576430-传众专利搜索

发明名称	VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GEGENSEITIG ISOLIERTEN INSELN AUS MONOKRISTALLINEM SILIZIUM.
摘要
申请公布号	DE3576430(D1)	申请公布日期	1990.04.12
申请号	DE19853576430	申请日期	1985.10.01
申请人	HAOND, MICHEL;COLINGE, JEAN-PIERRE, MEYLAN, FR;BENSAHEL, DANIEL, GRENOBLE, FR;DUTARTRE, DIDIER, MEYLAN, FR	发明人	HAOND, MICHEL;COLINGE, JEAN-PIERRE, MEYLAN, FR;BENSAHEL, DANIEL, GRENOBLE, FR;DUTARTRE, DIDIER, MEYLAN, FR
分类号	H01L21/20;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/76;H01L21/324	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
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