Process for producing broad and deeply penetrating isolation trenches in a semiconductor substrate.

摘要

Durch das angegebene Herstellungsverfahren werden die Leitungskanäle an der Oberfläche einer Halbleiterstruktur so bemessen, daß die signalübertragenden Leitungen eine niedrige Kopplungskapazität zu der Oberfläche des Halbleitermaterials aufweisen. Durch lonenätzen werden zunächst an der Oberfläche des Halbleitersubstrats Kanäle gebildet. Die ganze Oberfläche des Substrats wird sodann durch ein Siliciumdioxid, ein Siliciumnitrat oder ein Aluminiumoxid gleichmäßig beschichtet. Es folgt sodann das Ätzen der beschichteten Substratoberfläche mit dem Ergebnis, daß das Schichtmaterial an den Horizontaloberflächen des Oberflächenprofils vollkommen abgetragen und an den Vertikaloberflächen der Leitungskanäle bestehen bleibt. Daraus ergeben sich schmale Bereiche eines Maskenmaterials (24), welche kapazitätsarme Leitverbindungen an der Oberfläche eines Halbleitersubstrats ermöglichen.