Process for producing a solder connection between a semiconductor device and a carrier substrate, and a semiconductor device made by such method.

摘要

Die erfindungsgemäß hergestellte Lötverbindung mit einem lötkugelbegrenzenden Kissen aus mehreren metallurgischen Schichten verbindet eine Halbleitereinrichtung (z. B. ein Chip) mit einem Substrat (10). Das Kissen weist eine Chromschicht (18), eine oder mehrere phasenmäßig geformte Chrom-Kupferschichten (19, 21), eine oder mehrere Kupferschichten (20, 24) und eine Goldschicht (26) auf. Das verwendete Lötmittel besteht aus einer Mischung von 50% Blei und 50% Indium.