SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE.

摘要

Un dispositif de memoire a semi-conducteur comprenant: un premier transistor (TR1) avec son emetteur mis a la terre, un second transistor (TR2) avec son emetteur mis a la terre et son collecteur et sa base interconnectes respectivement avec le collecteur et la base du premier transistor (TR1), une ligne de donnees (DL), et un troisieme transistor (TR3), son cheminement emetteur-collecteur etant relie entre ladite ligne de donnees (DL) et la base du second transistor (TR2) respectivement. Le dispositif a memoire a semi-conducteur est en plus pourvu d'un quatrieme transistor (TR6) dont la base est reliee au collecteur du second transistor (TR2) et un cinquieme transistor (TR7), le cheminement collecteur-emetteur duquel est relie entre la base du quatrieme transistor (TR6) et une ligne de selection de colonne. Les donnees sont inscrites au travers de la ligne de donnees (DL) et le troisieme transistor (TR5), tandis que les donnees stockees sont lues a partir du collecteur du quatrieme transistor (TR6) dependant de l'etat de conductivite du second transistor (TR2).