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Die Erfindung betrifft eine auf einem Halbleiterkörper (1) aufgebaute dynamische Halbleiter-Speicherzelle in MIS-Technologie mit einem mit einer Wortleitung verbundenen Transfergate (6), einem mit einer Bitleitung verbundenen, umdotierten Halbleitergebiet (5) und einem Speicherkondensator, der eine isoliert aufgebrachte, äußere Elektrode (8) aufweist. Bei solchen Speicherzellen wird eine hohe Integrationsdichte angestrebt. Das wird erfindungsgemäß in der Weise gelöst, daß der Speicherkondensator mit einer umdotierten Halbleiterzone (9) als innere Elektrode ausgestattet ist und daß das Halbleitergebiet (5) und die Halbleiterzone (9) mit weiteren Zonen (11, 12) unterlegt sind, die in Bezug auf den Halbleiterkörper (1) gleichsinnig aber mit einem höheren Dotierungsgrad dotiert sind. Unterhalb des Transfergate (6) erstrecken sich die weiteren Zonen (11, 12) bis zur Grenzfläche des Halbleiterkörpers (1), werden durch einen umdotierten Halbleiterbereich (15) miteinander verbunden und stellen einen zweiteiligen Transferkanal (13, 14) dar. Das Anwendungsgebiet umfaßt hochintegrierte dynamische Speicherbausteine.
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