| 摘要 |
<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UNE DIODE DE SHOCKLEY ET SON PROCEDE DE FABRICATION.</P><P>CETTE DIODE DE SHOCKLEY COMPREND OUTRE LES COUCHES HABITUELLES 1, 2, 3 ET 4, DEUX COUCHES SUPPLEMENTAIRES 11 ET 12 DE MEME TYPE DE CONDUCTIVITE QUE LE SUBSTRAT 1 MAIS A DOPAGE PLUS ELEVE, LE DOPAGE DU SUBSTRAT ETANT MAINTENU A UNE VALEUR FAIBLE.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE DIODES DE SHOCKLEY DE TENSION DE RETOURNEMENT FAIBLE ET NETTEMENT DETERMINEE.</P>
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