| 摘要 |
<P>A.PROCEDE POUR FABRIQUER DES CIRCUITS MOS INTEGRES AVEC ET SANS TRANSISTORS DE MEMOIRE MNOS SELON LA TECHNOLOGIE DES GRILLES EN SILICIUM.</P><P>B.SELON CE PROCEDE, APRES FORMATION DES COUCHES STRUCTUREES DE SIO 1 SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 2, ON DEPOSE UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM 4 SELON LE PROCEDE D'OXYDATION LOCALE (LOCOS OU ISOPLANAR), POUR SEPARER LES REGIONS ACTIVES DES TRANSISTORS, ET ON STRUCTURE CETTE COUCHE 4 DE MANIERE A DEGAGER LES REGIONS DANS LESQUELLES L'OXYDE DE GRILLE 6 EST REALISE, CETTE COUCHE DE NITRURE 4 ETANT TRANSFORMEE SUPERFICIELLEMENT EN UNE COUCHE D'OXYNITRURE 7 LORS DE L'OXYDATION DE GRILLE.</P><P>C.APPLICATION NOTAMMENT AUX CIRCUITS MOSMNOS A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION.</P>
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