PHOTOELECTRIC METHOD OF TESTING SEMICONDUCTOR PARAMETERS,申请号SU19792811017-传众专利搜索

发明名称	PHOTOELECTRIC METHOD OF TESTING SEMICONDUCTOR PARAMETERS
摘要
申请公布号	SU790040(A1)	申请公布日期	1980.12.23
申请号	SU19792811017	申请日期	1979.08.24
申请人	FIZIKO-TEKHNICHESKIJ I IM. A.F.IOFFE AN SSSR;LE POLT I IM. M.I. KALININA	发明人	BYVALYJ VALENTIN A,SU;GOLDBERG YURIJ A,SU;VOLKOV ALEKSANDR S,SU;DMITRIEV ALEKSANDR G,SU
分类号	H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66	主分类号	H01L21/66
代理机构		代理人
主权项
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