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<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF DE COMMUTATION DE PUISSANCE A GRANDE VITESSE, A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>CE DISPOSITIF COMPREND, COMBINES SUR UN SUBSTRAT COMMUN 13, UN TRANSISTOR VMOS 47 COMPORTANT UNE SOURCE 6, UNE GRILLE 5 ET UN DRAIN CONSTITUE PAR LE SUBSTRAT 13, ET UN TRANSISTOR BIPOLAIRE 45 COMPORTANT UNE BASE 6, COMMUNE A LA SOURCE DU TRANSISTOR 47, UN EMETTEUR 7 ET UN COLLECTEUR CONSTITUE PAR LE SUBSTRAT 13 ET COMMUN AU DRAIN DU TRANSISTOR 47.</P><P>DOMAINE D'APPLICATION: DISPOSITIFS DE COMMUTATION POUR LA COMMANDE DE MOTEURS ELECTRIQUES, ETC.</P>
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