高度集成的半导体存储器件及其制造方法

摘要

一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛-沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛-沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛-沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛-沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。

主权项

1.一种高度集成半导体存储器件，其特征在于包括第一和第二多个存储单元，在所述第一多个存储单元中的每个存储单元包括在一半导体衬底上形成的第一开关晶体管和与所述第一开关晶体管相耦合的第一电容，在所述第二多个存储单元中的每个存储单元包括在半导体衬底上形成的第二开关晶体管和与所述第二开关晶体管相耦合的第二电容，所述第一和第二存储单元的每一个交替地安置在多个行的每一个中，在所述第一多个存储单元的每一存储单元中的每个第一电容还包括：第一存储电极，包括部分地在所述衬底上形成的沟道部分，和叠合在所述相邻第二存储单元的部分上的第一堆垛部分；以及在所述第二多个存储单元中的每个存储单元中的每个第二电容还包括：第二存储电极，仅包括叠合在所述相邻第一存储单元的部分上的第二堆垛部分，且不包括部分地在所述衬底上形成的沟道部分。