| 摘要 |
<p>Eine integrierte Ladungsverschiebe-Mikroschaltung wird in Form von Schieberegistern dargestellt, die Ladungsverschiebe-Speicherelemente in parallel zueinanderliegenden Einkerbungen (26, 28) aufweisen. Diese Einkerbungen (26, 28) lassen sich durch anisotropisches Ätzen eines Halbleitersubstrats, vorzugsweise von einer (100)-Ebene bei Silicium (10), bereitstellen. Isoliert voneinander angeordnete Streifenelektrodenleitungen (16, 20) entsprechen dabei im Bereich der jeweiligen Speicherelemente bisher üblichen, ladungsgekoppelten Schieberegisteranordnungen mit verschiedenen Isolatordicken, wobei die zwischen den Speicherelektroden, jeweils isoliert hiervon, angebrachten Verschiebeelektroden erstere teilweise überlappen. Sowohl die Verschiebeelektroden als auch die Speicherelektroden sind als Streifenleiter ausgebildet, die die parallel zueinanderliegenden, ladungsgekoppelten Schieberegisteranordnungen überqueren.</p> |
