| 摘要 |
<p>Lors de la preparation d"un dispositif a semi-conducteur comprenant un element semi-conducteur tel qu"un transistor bipolaire, la technique conventionnelle connue comprend les etapes de modelage sur une couche de nitrure de silicium (3) afin de former des fenetres dont les dimensions sont determinees afin de correspondre aux dimensions des regions (6a, 6b) pour des transistors bipolaires, des regions isolantes (5), etc.; puis de formation, en premier lieu, des regions isolantes (5) et, sequentiellement, des regions (6a, 6b) par diffusion thermique de bore. Dans une telle methode, dite a alignement automatique, le bore reagit avec la couche de nitrure de silicium (3) et les produits de reaction deteriorent la couche de dioxyde de silicium (4). Lors du modelage sur la couche de nitrure de silicium un premier masque (13") est forme lequel se presente sous la forme d"une bande sans fin vu en plan, afin que l"interaction du bore et du nitrure de silicium ait une influence sur la couche de dioxyde de silicium, soit un second masque (12") bien inferieur a celui utilise dans le procede conventionnel afin de resoudre les problemes de rendements decroissants et de fiabilite dans la fabrication de dispositifs a semi-conducteurs. </p> |
