发明名称 |
MASK STRUCTURE FOR X-RAY LITHOGRAPHY |
摘要 |
Un substrat de masque utilise dans un systeme lithographique a rayons X comprend un organe en nitrure de bore (32, Fig. 2) revetu d'une couche de polyimide (20) dont l'epaisseur est approximativement la meme que celle de l'organe en nitrure de bore. Le substrat est mecaniquement resistant et transparent optiquement ainsi qu'aux rayons X. Des configurations de masques formees sur le substrat se caracterisent par une faible distorsion et une faible densite de defauts. |
申请公布号 |
WO8002605(A1) |
申请公布日期 |
1980.11.27 |
申请号 |
WO1980US00533 |
申请日期 |
1980.05.09 |
申请人 |
WESTERN ELECTRIC CO INC |
发明人 |
LEPSELTER M;LEVINSTEIN H;MAYDAN D |
分类号 |
G03F1/22;H01L21/30;(IPC1-7):03B41/16 |
主分类号 |
G03F1/22 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|