| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 메모리 기술에 관한 것으로, 특히 SRAM 제조 기술에 관한 것이며, 더 자세히는 SRAM 제조를 위한 핵심공정인 고부하 레지스터(HLR, high load register) 형성 공정에 관한 것이다. 본 발명은 고부하저항의 저항값을 안정적으로 확보하면서 버팅콘택 및 Vcc 라인의 국지적인 저항 증가를 방지할 수 있는 고부하저항 타입의 에스램 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 고부하저항 타입의 에스램 제조방법에 있어서, 액세스 트랜지스터 및 드라이버 트랜지스터가 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막을 선택 식각하여 버팅콘택영역을 형성하는 단계; 상기 버팅콘택영역이 형성된 전체 구조 상부에 도핑된 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 도핑된 폴리실리콘막의 고부하저항 영역에 선택적으로 카운터 도핑을 실시하는 단계; 및 상기 도핑된 폴리실리콘막을 패터닝하여 고부하저항, 전원공급라인 및 버팅콘택을 정의하는 단계를 포함하여 이루어진 고부하저항 타입의 에스램 제조방법이 제공된다.</p> |
