| 摘要 |
<p>본 발명은 폴리실리콘 CMP공정 이후의 클리닝 방법에 관한 것으로 기존의 클리닝 방법에서 계면활성제를 사용하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 구성은 계면활성제를 사용하여 브러시 스크러빙(brush scrubbing)처리하는 제 1 단계; 순수로 린스하는 제 2 단계; 희석된 과산화수소수를 플로우시키는 제 3 단계; 순수로 린스하는 제 4 단계; 희석 불산으로 브러시 스크러빙 처리하는 제 5 단계; 순수로 린스하는 제 6 단계; 및 순수와 UV로 건조하는 제 7 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 상기한 과정에 의하여 클리닝 공정을 진행함에 따라 공정 과정이 단순해지며 실리콘 표면의 상태가 양호해질 뿐 아니라 장비의 보수, 유지 및 관리도 용이해지는 효과를 나타낸다.</p> |
