发明名称 A METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 전극의 인쇄기판과의 접합부에 전극을 박리시키거나 접촉저항을 증대시키는 열응력의 집중이 없는 반도체장치의 제조방법을 제공한다. 또한, 도막의 열수축에 의한 반도체장치의 만곡을 경감 또는 방지한 반도체장치의 제조방법을 제공한다. 전극패드(2)가 형성된 반도체기판(1)의 표면에 전극패드(2)의 일부분을 제거하여 절연보호막(3)을 형성한다. 다음에, 전극패드(2)를 피복하는 금속장벽(4)층을 전극패드(2) 상으로부터 절연보호막(3)까지 연속시켜 형성한다. 이어서, 반도체기판(1)의 표면을 금속장벽(4)층의 적어도 일부를 노출시키는 구멍부(6)를 남겨 경화성수지(5)로 피복한다. 그리고, 도전재료에 의해 구멍부(6)를 충전함과 더불어 그 위에 돌출부를 형성한다. 최후에, 도전재료를 열처리하여 전극을 형성함으로써 반도체장치가 제조된다.
申请公布号 KR100344929(B1) 申请公布日期 2002.07.19
申请号 KR19990028519 申请日期 1999.07.14
申请人 가부시끼가이샤 도시바 发明人 야마지야스히로;호소미에이이치
分类号 H01L21/50;H01L21/60;H01L21/78;H01L23/12;H01L23/485 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人
主权项
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