| 摘要 |
<p>HSG-SI 제조 방법 및 상기 방법을 수행하는 반도체 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 그 상부가 돔형상으로 제작된 가공 챔버를 형성하는 하우징을 구비한다. 상기 가공 챔버 내에는 웨이퍼가 안착되는 제1 히터가 고정적으로 설치되며, 상기 가공 챔버의 상부에는 가공 챔버 내의 온도를 상승시키기 위한 제2 히터가 고정적으로 설치된다. 제1, 제2 히터 및 상기 가공 챔버 내에 형성되는 복사열을 이용하여 상기 웨이퍼에 묻어 있는 수분을 제거한 후, 가스 인젝터를 통하여 상기 웨이퍼 상에 HSG-SI가 성장될 수 있도록 상기 제1 히터 상에 안착된 웨이퍼의 상면으로 가스를 분사하여 웨이퍼상에 무정형 실리콘을 증착시킨다. 상기 무정형 실리콘이 HSG-SI 층으로 전이될 수 있도록 소정 시간동안 상기 웨이퍼를 어닐링시킨다. 상기 가공 챔버의 내부와 상기 가공 챔버의 외부 사이에는 단열부재가 설치되어 상기 가공 챔버 내의 온도가 상기 가공 챔버의 외부로 전달되는 것을 방지한다.</p> |
