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PROCEDE POUR LA REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ELECTROLUMINESCENT, SELON LEQUEL DES COUCHES MONOCRISTALLINES 3, 4, 5, 6 PARMI LESQUELLES UNE COUCHE ACTIVE 4 SONT FORMEES PAR CROISSANCE SUR UNE FACE PRINCIPALE D'UN SUBSTRAT 2 ET LES COUCHES SONTSOUMISES A DECAPAGE A L'AIDE D'UN MASQUE DE FACON A OBTENIR DES FACES REFLECTRICES 9, QUI DELIMITENT DES REGIONS ACTIVES 10 DANS LA DIRECTION LONGITUDINALE, CARACTERISE EN CE QU'APRES LE DECAPAGE, UNE COUCHE MONOCRISTALLINE EPITAXIALE PROTECTRICE 11 EST FORMEE PAR CROISSANCE SUR LES FACES REFLECHISSANTES 9.APPLICATION: LASERS SEMICONDUCTEURS.
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