| 主权项 |
1.一种研磨一基材之方法,该方法包括下述步骤: (i)提供一包含下述物质之研磨组合物: (a)一磨料及 (b)一液体载剂, 其中该磨料包含表面的一部分上附着有一矽烷化 合物的金属氧化物粒子及一附着于该矽烷化合物 的聚合物,且其中该聚合物系选自由水溶性聚合物 及水乳化聚合物组成之群, (ii)提供一包含至少一个金属层之基材,及 (iii)用该研磨组合物磨去至少一部分金属层以研 磨该基材。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽烷化合物 系选自由下列组成之群:含官能基之矽烷、乙矽烷 、丙矽烷、寡聚矽烷、聚合矽烷及其组合。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该矽烷化合物 包含至少一个选自由下列组成之群之官能基:胺基 、羧酸基、酸酐基、膦酸基、啶基、羟基、环 氧基及其盐。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该矽烷化合物 包含至少一个胺基。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该聚合物系一 阴离子聚合物或共聚物。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该阴离子聚合 物或共聚物包含有含羧酸、磺酸或膦酸官能基或 其组合之重现单元。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该矽烷化合物 包含至少一个胺基。 8.如申请专利范围第6项之方法,其中该阴离子聚合 物或共聚物包含选自由下列组成之群之重现单元: 丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、马来酸 酐、乙烯基磺酸、2-甲基丙烯醯氧基乙磺酸、苯 乙烯磺酸、2-丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸(AMPS)、乙 烯基膦酸、2-(甲基丙烯醯氧基)乙基磷酸、其盐及 其组合。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该聚合物系一 阳离子聚合物或共聚物。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该阳离子聚 合物或共聚物包含有含胺基官能基之重现单元。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该阳离子聚 合物或共聚物包含选自由下列组成之群之重现单 元:烯丙基胺、乙烯基胺、丙啶、乙烯基啶、 甲基丙烯酸二乙胺基乙基酯、氯化二烯丙基二甲 基铵、硫酸甲基丙烯醯氧基三甲基铵及其组合。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽烷化合 物包含至少一个选自由羟基、环氧基及其盐组成 之群之官能基且该聚合物包含至少一个选自由胺 基、羧酸基及其盐组成之群之官能基。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中该等金属氧 化物粒子包含一选自由下列组成之群之金属氧化 物:氧化铝、二氧化矽、二氧化钛、氧化铈、氧化 锆、氧化锗、氧化镁、氧化钽(TaOx)及其组合。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该等金属氧 化物粒子包含二氧化矽。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中该研磨组合 物进一步包含一酸。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该酸系一无 机酸。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该酸系一选 自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群 之无机酸。 18.如申请专利范围第15项之方法,其中该酸系一有 机酸。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该酸系一选 自由草酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸 、苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、琥珀酸、其盐及 其组合组成之群之有机酸。 20.如申请专利范围第1项之方法,其中该研磨组合 物之pH値介于3至7之间。 21.如申请专利范围第1项之方法,其中该研磨组合 物进一步包含一表面活性剂。 22.如申请专利范围第1项之方法,其中该研磨组合 物进一步包含一化学氧化剂。 23.一种研磨组合物,其包含: (i)一磨料及 (ii)一液体介质, 其中该磨料包含其表面的一部分上附着有一矽烷 化合物的金属氧化物粒子及一附着于该矽烷化合 物上的聚合物,且其中该聚合物系选自由水溶性聚 合物及水乳化聚合物组成之群,该研磨组合物中所 含磨料粒子之总量不超过该研磨组合物之20重量%, 且该等金属氧化物粒子不包含氧化锆。 24.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该矽 烷化合物系选自由下列组成之群:含官能基之矽烷 、乙矽烷丙矽烷、寡聚矽烷、聚合矽烷及其组合 。 25.如申请专利范围第24项之研磨组合物,其中该矽 烷化合物包含至少一个选自由下列组成之群之官 能基:胺基、羧酸基、酸酐基、膦酸基、啶基、 羟基、环氧基及其盐。 26.如申请专利范围第25项之研磨组合物,其中该矽 烷化合物包含至少一个胺基。 27.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该聚 合物系一阴离子聚合物或共聚物。 28.如申请专利范围第27项之研磨组合物,其中该阴 离子聚合物或共聚物包含含羧酸、磺酸或膦酸官 能基或其组合之重现单元。 29.如申请专利范围第28项之研磨组合物,其中该矽 烷化合物包含至少一个胺基。 30.如申请专利范围第28项之研磨组合物,其中该阴 离子聚合物或共聚物包含选自由下列组成之群之 重现单元:丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸 、马来酸酐、乙烯基磺酸、2-甲基丙烯醯氧基乙 磺酸、苯乙烯磺酸、2-丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸( AMPS)、乙烯基膦酸、2-(甲基丙烯醯氧基)乙基磷酸 、其盐及其组合。 31.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该聚 合物包含一阳离子聚合物或共聚物。 32.如申请专利范围第31项之研磨组合物,其中该阳 离子聚合物或共聚物包含含胺基官能基之重现单 元。 33.如申请专利范围第32项之研磨组合物,其中该阳 离子聚合物或共聚物包含选自由下列组成之群之 重现单元:烯丙基胺、乙烯基胺、丙啶、乙烯基 啶、甲基丙烯酸二乙胺基乙基酯、氯化二烯丙 基二甲基铵、硫酸甲基丙烯醯氧基三甲基铵及其 组合。 34.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该矽 烷化合物包含至少一个选自由羟基、环氧基及其 盐组成之群中官能基,且该聚合物包含至少一个选 自由胺基、羧酸基及其盐组成之群之官能基。 35.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该等 磨料粒子系选自由下述基团组成之群:氧化铝、二 氧化矽、二氧化钛、氧化铈、氧化锆、氧化锗、 氧化镁、氧化钽(TaOx)及其组合。 36.如申请专利范围第35项之研磨组合物,其中该磨 料系二氧化矽。 37.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该研 磨组合物进一步包含一酸。 38.如申请专利范围第37项之研磨组合物,其中该酸 系一无机酸。 39.如申请专利范围第38项之研磨组合物,其中该无 机酸系选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合 组成之群。 40.如申请专利范围第37项之研磨组合物,其中该酸 系一有机酸。 41.如申请专利范围第40项之研磨组合物,其中该有 机酸系选自由草酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳 酸、丙酸、苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、琥珀酸 、其盐及其组合组成之群。 42.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该研 磨组合物之pH値介于3至7之间。 43.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该研 磨组合物进一步包含一表面活性剂。 44.如申请专利范围第23项之研磨组合物,其中该研 磨组合物进一步包含一化学氧化剂。 |
