| 主权项 |
1.一种适合形成旋转涂布抗反射硬质罩幕层之组 合物,该组合物包含: (a)具有发色部份与透光部份之含SiO聚合物, (b)分离之交联成分,及 (c)酸产生剂。 2.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该透光部 份实质上无不饱和碳-碳键。 3.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该发色部 份含不饱包和碳-碳键。 4.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该组合物 透光部份对157奈米放射线为实质上透光。 5.根据申请专利范围第4项之组合物,其中该透光部 份系选自由全氟烷基与三氟甲基组成之群组。 6.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该酸产生 剂为热活化酸产生剂。 7.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该含SiO聚 合物进一步包含多个沿聚合物分布,用于与交联成 分反应之反应性位置。 8.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该发色部 份系选自由以下组成之群组:苯基、 、 、茀、 酮、二苯基酮、9-氧二苯并硫喃、、及含 碳-碳双键之化合物。 9.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该交联成 分包含甘化合物。 10.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该组合 物本质上包括成分(a)、(b)与(c)。 11.一种在基材上形成图样化材料特点之方法,此方 法包含: (a)在基材上提供材料层, (b)在该材料层上形成抗反射硬质罩幕层,该硬质罩 幕层包含具有发色部份与透光部份之交联含SiO聚 合物, (c)在该硬质罩幕层上形成放射线敏感性照相层, (d)使该照相层按图样方式对放射线曝光,因而在该 照相层制造放射线曝光区域图样, (e)选择性地去除部份之该照相层及该硬质罩幕层 以暴露部份之该照相层,及 (f)蚀刻该材料层之该暴露部份,因而形成该图样化 材料特点。 12.根据申请专利范围第11项之方法,其进一步包含: (g)自材料层去除该照相层与该硬质罩幕层之任何 残留部份。 13.根据申请专利范围第11项之方法,其中该放射线 系选自由以下组成之群组:(a)具有小于200奈米之波 长之紫外线放射线,及(b)电子束放射线。 14.根据申请专利范围第11项之方法,其中该发色部 份系选自由以下组成之群组:苯基、 、 、茀、 酮、二苯基酮、9-氧二苯并硫喃、及含碳- 碳双键之化合物。 15.根据申请专利范围第12项之方法,其中该材料层 系选自由介电体、金属与半导体组成之群组。 16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该材料层 系选自由氧化物、氮化物与多矽组成之群组。 17.根据申请专利范围第11项之方法,其中该硬质罩 幕层具有约0.02-5微米之厚度。 18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该硬质罩 幕层具有约0.1-5微米之厚度。 19.一种在基材上之图样化微影术结构,该微影术结 构包含在图样化硬质罩幕层上之图样化光阻层,该 硬质罩幕层包含具有发色部份与透光部份之交联 含SiO聚合物。 |
