| 摘要 |
<p>Polovodicová soucástka je tvorena kruhovou destickou z monokrystalického polovodicového materiálu obsahující vrstvu (3) výchozího polovodicového materiálu, ke které priléhá z jedné strany první krajní polovodicová vrstva (4) opacného typu vodivosti.V ní je vytvorena první oblast (4a) s koncentracíaktivních prímesí vetší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméne 40.mi.m pod povrch, kterým první krajní polovodicová vrstva (4) priléhá k první elektrode (1) soucástky. Vrstvy (3) a(c) tvorí PN prechod. Z druhé strany priléhá k vrstve (3) výchozího polovodicového materiálu druhá krajní polovodicová vrstva (5) stejného typu vodivosti jako vrstva (3) výchozího polovodicového materiálu. V ní je vytvorena první oblast (5a) s koncentrací aktivních prímesí vetší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméne 40.mi.m podpovrch, kterým druhá krajní polovodicová vrstva (5) priléhá k druhé elektrode (2) soucástky. Soucettlouštky krajních polovodicových vrstev (4) a (5)je vetší než polovina celkové tlouštky kruhové desticky monokrystalického polovodicového materiálu.</p> |
