发明名称 |
半导体压力传感器 |
摘要 |
一种半导体压力传感器(semiconductor pressure sensor)。该半导体压力传感器包含有一非单晶硅基底;一可动的隔膜(diaphragm);至少一压电电阻(piezoresistor),设于该隔膜上;一支承构件(supporter),设于该非单晶硅基底上,用来固定该隔膜的两端,使得该隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴(cavity);以及一薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)控制电路,电连接于该隔膜与该压电电阻。 |
申请公布号 |
CN100449815C |
申请公布日期 |
2009.01.07 |
申请号 |
CN03147271.0 |
申请日期 |
2003.07.11 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
杨健生 |
分类号 |
H01L49/00(2006.01);H01L41/00(2006.01);H01L27/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);G01L9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L49/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1.一种半导体压力传感器,其包含有:一非单晶硅基底;一可动的绝缘隔膜;至少一压电电阻,设于该绝缘隔膜上;一绝缘支承构件,设于该非单晶硅基底上,用来固定该绝缘隔膜的两端,使得该绝缘隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴,以及一薄膜晶体管控制电路,设于该非单晶硅基底上,并电连接于该绝缘隔膜与该压电电阻。 |
地址 |
台湾省新竹市 |