发明名称 半导体压力传感器
摘要 一种半导体压力传感器(semiconductor pressure sensor)。该半导体压力传感器包含有一非单晶硅基底;一可动的隔膜(diaphragm);至少一压电电阻(piezoresistor),设于该隔膜上;一支承构件(supporter),设于该非单晶硅基底上,用来固定该隔膜的两端,使得该隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴(cavity);以及一薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)控制电路,电连接于该隔膜与该压电电阻。
申请公布号 CN100449815C 申请公布日期 2009.01.07
申请号 CN03147271.0 申请日期 2003.07.11
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 杨健生
分类号 H01L49/00(2006.01);H01L41/00(2006.01);H01L27/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);G01L9/00(2006.01) 主分类号 H01L49/00(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李晓舒;魏晓刚
主权项 1.一种半导体压力传感器,其包含有:一非单晶硅基底;一可动的绝缘隔膜;至少一压电电阻,设于该绝缘隔膜上;一绝缘支承构件,设于该非单晶硅基底上,用来固定该绝缘隔膜的两端,使得该绝缘隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴,以及一薄膜晶体管控制电路,设于该非单晶硅基底上,并电连接于该绝缘隔膜与该压电电阻。
地址 台湾省新竹市