| 发明名称 | 形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构上的存储器元件 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构上的存储器元件。该存储器元件形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构之上，SOI结构包括一基底、一绝缘层位于基底之上和一半导体层位于绝缘层之上。存储器元件具有一位于SOI结构的存储区域的存储器阵列、复数个第一基底接触位于存储器元件的周边区域和复数个第二基底接触位于SOI结构的存储区域，其中第一基底接触和第二基底接触形成于半导体层及介电层内并透出半导体层以电性连结SOI结构的基底。 | ||
| 申请公布号 | CN100449763C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200610000304.3 | 申请日期 | 2006.01.04 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王屏薇 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种存储器元件，形成于绝缘层上有半导体结构之上，该绝缘层上有半导体结构包括一基底、一绝缘层位于该基底之上和一半导体层位于该绝缘层之上，其特征在于该存储器元件包括：一存储器阵列位于该绝缘层上有半导体结构的存储区域；复数个第一基底接触位于该存储器元件的周边区域；以及复数个第二基底接触位于该绝缘层上有半导体结构的存储区域，其中该些第一基底接触和该些第二基底接触形成于该半导体层及该绝缘层内并电性连结该绝缘层上有半导体结构的该基底。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||