发明名称 形成微影用光阻底层膜用组成物及半导体装置之制造方法
摘要 [课题]本发明之目的系获得一种光阻底层膜形成组成物,其特征系可均一地涂布,并在热硬化时其昇华物之发生可被抑制者。进一步,本发明之目的并系获得一种用以形成光阻底层膜之组成物,其特征系对于上层之光阻之乾蚀刻之选择比为大者。 [解决手段]一种形成微影用光阻底层膜之组成物,其特征为含有:具有下式(1)#P 097132832P01.bmp{式中,R#sP!1#eP!及R#sP!2#eP!系为-X-Y[式中,x系氧原子、碳原子数1至18之伸烷基或-OC#sB!n#eB!H#sB!2n#eB!-(式中,n系1至18之整数)所示之基,Y系内酯环或金刚烷环]所示之基,或者R#sP!1#eP!及R#sP!2#eP!之一者系该-X-Y所示之基,另一者系芳基、甲基、乙基或碳原子数3至6之环状烷基)}所示单位构造之聚矽烷化合物、及有机溶剂。
申请公布号 TW200925784 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW097132832 申请日期 2008.08.27
申请人 日产化学工业股份有限公司 发明人 今村光;境田康志;中岛诚;竹井敏
分类号 G03F7/11(2006.01) 主分类号 G03F7/11(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本