Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Der Halbleiterkörper weist ein Zellenfeld mit einer Driftzone eines ersten Leitungstyps auf. Außerdem weist das Halbleiterbauelement einen Randbereich auf, der das Zellenfeld umgibt. In dem Zellenfeld sind Feldplatten mit Trenchgatestruktur und im Randbereich ist ein das Zellenfeld umgebender Randtrench angeordnet. Die Oberseite des Halbleiterkörpers weist im Randbereich eine zum ersten Leitungstyp komplementär leitende Randzone mit Dotierstoffen von Bodyzonen des Zellenfeldes auf. Dabei erstreckt sich die komplementär leitende Randzone sowohl innerhalb als auch außerhalb des Randtrenches.