薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种具有可减少Vgs-Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19)，栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外，在源区(17)、漏区(18)中，通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部，在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。

主权项

1. 一种晶体管，包括：非单晶硅薄膜，所述非单晶硅薄膜具有一个沟道区，一个第一区和一个第二区，所述沟道区形成在所述第一区和第二区之间，所述第一区和第二区是第一导电类型；第一电极，电连接至所述第一区；以及第二电极，电连接至所述第二区，所述第一区具有第一部和第二部，所述第一部具有第一宽度，所述第一部与所述沟道区相连接，所述第二部具有比所述第一宽度小的第二宽度，所述第二部与所述第一电极重叠，所述第二区具有第三部和第四部，所述第三部具有第三宽度，所述第三部与所述沟道区相连接，所述第四部具有比所述第三宽度小的第四宽度，所述第四部与所述第二电极重叠，以及所述非单晶硅薄膜的至少所述沟道区的宽度大于所述第二宽度和所述第四宽度。