发明名称 高线性互补放大器
摘要 一种互补放大器包括以一堆叠组态耦接至一PMOS电晶体的一NMOS电晶体。该NMOS电晶体及该PMOS电晶体接收并放大一输入信号。该NMOS电晶体及该PMOS电晶体作为一线性互补放大器而操作,且提供一输出信号。该NMOS电晶体及该PMOS电晶体可具有独立偏压,该等独立偏压可经选择以使此等电晶体之跨导之低至高转变与高至低转变重叠。该NMOS电晶体及该PMOS电晶体之宽度及长度尺寸可经选择以使中等反转区中之该NMOS电晶体之输入电容的改变及跨导的改变与中等反转区中之该PMOS电晶体之输入电容的改变及跨导的改变匹配。该互补放大器可在一电压范围内具有一大致恒定之总输入电容及一大致恒定之总跨导。
申请公布号 TW200935725 申请公布日期 2009.08.16
申请号 TW097146004 申请日期 2008.11.27
申请人 高通公司 发明人 丁嘉森;格克瓦 赛恩 萨赫塔;潘稣堤
分类号 H03F1/32(2006.01) 主分类号 H03F1/32(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国