SiC纳米线的制备方法

摘要

SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理；二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散；三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理；四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单，成本低，生产周期短，反应温度较低，在制作过程中不产生有害气体，不会危害人体健康，污染环境，本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀，表面平滑，产品质量好。

主权项

1、SiC纳米线的制备方法，其特征在于SiC纳米线的制备方法按照以下步骤进行：一、将单晶硅片放入质量浓度为3％～7％的氢氟酸溶液中浸泡处理10～24h，其中，单晶硅片与氢氟酸溶液的重量比为1∶0.8～5；二、将金属纳米粉催化剂放入分散液中，在超声频率为10～50Hz的条件下超声分散4～6min，即得到分散液，其中金属纳米粉催化剂与分散液的重量比为1∶0.8～3，分散液是质量浓度为5％～10％的盐酸溶液或者质量浓度为1％～3％的氢氟酸溶液；三、将步骤一处理后的单晶硅片放入到步骤二的分散液中浸泡处理10～60s，其中，单晶硅片与分散液的重量比为1∶0.8～4；四、将步骤三中的单晶硅片和石墨按1∶0.5～1重量比置于气氛烧结炉中，抽真空，直至气氛烧结炉内的压强达到0.1～1Pa为止，再向气氛烧结炉中冲入氩气至气氛烧结炉中的压强达到0.1～0.5MPa，控制烧结炉的升温速率为10～15℃/min至烧结炉内的温度为800～1200℃，保温烧结1～4h，然后随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。