Method of fabricating carbon insulating layer using molecular beam epitaxy and fabricationg field effect trasistor using the same

摘要

분자빔 에피탁시 방법을 이용한 카본 절연층 제조방법 및 이를 이용한 전계효과 트랜지스터 제조방법이 개시된다. 개시된 분자빔 에피탁시 방법을 이용한 카본 절연층 제조방법은, 분자빔 에피탁시 챔버에 장착된 기판을 대략 300??500 ℃로 유지하고, 상기 챔버를 10Torr 이하의 고진공 상태를 유지하는 단계와, 상기 챔버 내에 탄소 소스를 공급하여 상기 기판 상에 다이아몬드 유사 카본과 tetrahedral 비정질 카본으로 이루어진 카본 절연층을 형성하는 단계를 포함한다.