发明名称 |
Method of making a semiconductor device including complementary transistors. |
摘要 |
<p>Es wird ein hinsichtlich Herstellung und Betriebseigenschaften verbesserter Aufbau von Bipolartransistoren, vorzugsweise von vertikalen PNP-Transistoren, angegeben. Als Emitter wird dabei ein Schottky-Kontakt (72) vorgesehen, der auf einem jeweils zugehörigen Basisgebiet (59) mit relativ niedriger Dotierungskonzentration in Form einer Metallbelegung aufgebracht wird. Damit lassen sich vorteilhaft, z.B. in einem konventionellen NPN-Bipolarprozeß, komplementäre Bipolartransistoren (25, 27) mit hoher Pakkungsdichte und insbesondere verbesserten Eigenschaften der PNP-Transistoren (25) aufbauen.</p> |
申请公布号 |
EP0017021(A1) |
申请公布日期 |
1980.10.15 |
申请号 |
EP19800101236 |
申请日期 |
1980.03.11 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
DE BAR, DAVID E.;HAMAKER, RAYMOND W.;STEPHENS, GEOFFREY B. |
分类号 |
H01L21/331;H01L21/8228;H01L27/082;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/73;(IPC1-7):01L29/72;01L29/08;01L29/52;01L29/56;01L27/08;01L29/40 |
主分类号 |
H01L21/331 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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