| 摘要 |
<p>L'invention concerne les résines utilisées pour la fabrication ou la reproduction de masques, en électronique. La composition de photomasquage suivant l'invention est caractérisée en ce qu'elle répond à la formule générale: <IMAGE> dans laquelle R1, R'1, R"1, R2, R'2, R"2 désignent des radicaux alkyles dont la chaine principale contient de 1 à 10 atomes de carbone, les symboles F, Cl et Br qui désignent le fluor, le chlore et le brome étant affectés d'indices a, b, c, a', b', et c' représentant le nombre de ces atomes qui sont entiers positifs ou nuls, comme m, n, p. Application à la réalisation de masques à haute résolution, pour les circuits intégrés ou l'optique intégrée.</p> |
