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发明名称 METHOD OF FORMING VERY SMALL IMPURITY REGIONS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP0000326(B1) 申请公布日期 1980.09.17
申请号 EP19780100081 申请日期 1978.06.02
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 FENG, BAI-CWO;FENG, GEORGE CHENG-CWO
分类号 H01L21/033;H01L29/73;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/331;H01L21/8222;(IPC1-7):01L21/00;01L21/82;01L21/314 主分类号 H01L21/033
代理机构 代理人
主权项
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