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<p>Perfeccionamientos en dispositivos de conmutadores de estad sólido que comprenden un cuerpo semiconductor cuya parte principal es de un primer tipo de conductividad, una primera región del primer tipo de conductividad, una segunda región de un segundo tipo de conductividad opuesto al del primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, teniendo la primera, segunda y tercera regiones de puerta una menor resistividad que la de la parte principal y estando mutuamente separadas partes de la masa principal del cuerpo semiconductor, siendo los parámetros del dispositivo de tal naturaleza que, alimentándose un primer voltaje a la región de puerta, se forma una región de puerta, se forma una región de transmisión en el cuerpo semiconductor que evite virtualmente el flujo de corriente entre la primera y la segunda regiones y que, alimentándose voltaje apropiados a la primera y la segunda regiones y que, alimentándose un segundo voltaje a la región de puerta y alimentándose voltaje apropiado a la primera y a la segunda regiones, se establece un trayecto de corriente de resistencia relativamente baja entre la primera y la segunda regiones por una doble inyección de portadores, caracterizado porque la primera y la segunda regiones tienen cada una superficie contenida en una primera superficie principal del cuerpo semiconductor y la región de puerta es un elemento semiconductor que se pone en contacto con el cuerpo semiconductor a lo largo de una segunda superficie opuesta a la primera superficie.</p> |
