发明名称 WERKWIJZE VOOR HET VERVAARDIGEN VAN EEN HALFGELEIDERIN- RICHTING, WAARBIJ ONEFFENHEDEN VAN HET OPPERVLAK VAN EEN SUBSTRAAT WORDEN VERWIJDERD.
摘要 An even surface of an SiO2 layer on an Si body, whose surface is uneven, is obtained by the steps of forming a photoresist layer of KTFR (Trade name of Eastman Kodak Chemical Company) on the uneven surface of the SiO2 layer so as to have a thickness sufficient cover the unevenness of the surface and etching the SiO2 layer with said KTFR layer by rf sputter etching so as to expose a predetermined surface of the SiO2 layer.
申请公布号 NL165002(B) 申请公布日期 1980.09.15
申请号 NL19750012562 申请日期 1975.10.27
申请人 HITACHI, LTD., TOKIO. 发明人
分类号 H01L21/00;H01L21/263;H01L21/3105;H01L21/312;H01L21/56;(IPC1-7):H01L21/31;H01L21/30 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
地址