发明名称 |
WERKWIJZE VOOR HET VERVAARDIGEN VAN EEN HALFGELEIDERIN- RICHTING, WAARBIJ ONEFFENHEDEN VAN HET OPPERVLAK VAN EEN SUBSTRAAT WORDEN VERWIJDERD. |
摘要 |
An even surface of an SiO2 layer on an Si body, whose surface is uneven, is obtained by the steps of forming a photoresist layer of KTFR (Trade name of Eastman Kodak Chemical Company) on the uneven surface of the SiO2 layer so as to have a thickness sufficient cover the unevenness of the surface and etching the SiO2 layer with said KTFR layer by rf sputter etching so as to expose a predetermined surface of the SiO2 layer. |
申请公布号 |
NL165002(B) |
申请公布日期 |
1980.09.15 |
申请号 |
NL19750012562 |
申请日期 |
1975.10.27 |
申请人 |
HITACHI, LTD., TOKIO. |
发明人 |
|
分类号 |
H01L21/00;H01L21/263;H01L21/3105;H01L21/312;H01L21/56;(IPC1-7):H01L21/31;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|