发明名称 Method for relief-like structuring of silicon-surfaces.
摘要 <p>Bei Verwendung von Silicium für Solarzellen muß dafür Sorge getragen werden, daß die für den Lichteinfall vorgesehene Oberfläche ein möglichst geringes Reflexionsvermögen aufweist. Hierzu ist es zweckmäßig, die betreffende Oberfläche in einem Ätzverfahren aufzurauhen. Speziell wird hierzu vorgesehen, unter Anwenden eines Kathodenzerstäubungsverfahrens einen Siliciumoberflächenbereich gleichzeitig einem chemischen Reaktionsvorgang mit der Zerstäubungsgasatmosphäre zu unterwerfen.</p>
申请公布号 EP0014759(A1) 申请公布日期 1980.09.03
申请号 EP19790105179 申请日期 1979.12.14
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 HANSEN, THOMAS ADRIAN;JOHNSON JR.,CLAUDE;WILBARG, ROBERT RONALD
分类号 H01L31/04;H01L21/302;H01L21/3065;H01L31/02;H01L31/0236;(IPC1-7):01L31/18;01L21/306 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人
主权项
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