| 发明名称 |
Contact system for power thyristor. |
| 摘要 |
<p>Bei einem scheibenförmigen, thermisch und elektrisch druckkontaktierbarem, steuerbarem Leistungs-Halbleiterbauelement mit verzweigter Gate-Struktur (2) und Metallisierungen (13) gleicher Dicke auf Emitterbereich (1) und Gatebereich (2) des aktiven Siliziumblocks (12) wird zur Verhinderung eines Kurzschlusses zwischen Gate-Struktur (2) und Emitterbereich (1) eine duktile Metallscheibe (15) mit Aussparungen (16) entsprechend der geometrischen Struktur des Gatebereichs (2) zwischen den Metallisierungen (12) und einer ebenen Kontaktplatte (14) eingelegt und nach Justierung mittels elastischem Kunststoff am Rande fixiert. Die duktile Metallscheibe (15) besteht vorzugsweise aus Silber und weist eine Dicke von 30 bis 500 µm auf.</p> |
| 申请公布号 |
EP0014761(A1) |
申请公布日期 |
1980.09.03 |
| 申请号 |
EP19790105205 |
申请日期 |
1979.12.17 |
| 申请人 |
BROWN, BOVERI & CIE AKTIENGESELLSCHAFT MANNHEIM |
发明人 |
WEIMANN, KLAUS, DIPL.-ING.;EISELE, DIETER, DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L29/417;H01L21/48;H01L23/48;H01L23/482;H01L29/74;(IPC1-7):01L21/60 |
主分类号 |
H01L29/417 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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