发明名称 METHOD OF MANUFACTURING FIELDDEFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS55111177(A) 申请公布日期 1980.08.27
申请号 JP19790019177 申请日期 1979.02.20
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD 发明人 SUGAWA TOSHIO;KONUMA TAKESHI
分类号 H01L29/80;H01L21/338;H01L29/417;H01L29/812 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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