发明名称 |
DEVICE FOR COLLECTING CHARGE |
摘要 |
Element de mémoire constitué par une structure semiconductrice effet de champ du type métal-isolant-semiconducteur à isolant successif (SIMIS) ou graduel (GIMIS) comportant une region de porte située entre des régions de drain et de source N<+><+>. L'isolant de la région de porte est constitué par une couche épaisse de SiO2 thermique recouverte de plusieurs couches minces de SiO2 ou Si3N4 pyrolytiques. Cette structure isolante a un intervalle de bande graduel permettant l'injection de trous ou d'électrons à partir de l'interface isolant-électrode@ de porte tout en bloquant l'injection d'electrons à partir de l'autre interface de l'isolant. Une couche de piégeage est réalisée dans la couche de SiO2 thermique pour capturer tous les trous ou électrons. Cette structure semi-conductrice est utilisée dans les systèmes de memoire de calculateur. |
申请公布号 |
JPS55111175(A) |
申请公布日期 |
1980.08.27 |
申请号 |
JP19800003710 |
申请日期 |
1980.01.18 |
申请人 |
IBM |
发明人 |
ROJIYAA FURANSOWA DEKIASUMETSU;DONERI JIYOSEFU DEIMARIA;DONARUDO RIIDAA YANGU |
分类号 |
H01L27/112;H01L21/28;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L27/112 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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