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<P>LA PRESENTE INVENTION A POUR OBJET UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR A HETEROJONCTION.</P><P>CE COMPOSANT COMPORTE UNE ZONE ACTIVE FAITE D'UN ALLIAGE TERNAIRE OU QUATERNAIRE DU TYPE GA IN AS P REPOSANT PAR L'INTERMEDIAIRE D'UNE COUCHE TAMPON DE COMPOSITION VOISINE SUR UN SUBSTRAT, CECI DE FACON A CE QUE LA COUCHE ACTIVE ET LA ZONE TAMPON ONT DES COEFFICIENTS DE DILATATION VOISINS.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE AUX COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES OU AUX TRANSISTORS.</P>
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