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发明名称 VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG VON SUBSTRATELEKTRODEN BEI MOS-ICS MIT LOKALER OXIDATION
摘要
申请公布号 DE3002740(A1) 申请公布日期 1980.08.14
申请号 DE19803002740 申请日期 1980.01.25
申请人 HITACHI,LTD. 发明人 SEKI,MASATOSHI
分类号 H01L21/28;H01L21/033;H01L21/762;H01L23/58;(IPC1-7):01L21/72;01L29/78;11C11/34 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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