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<P>Dispositif semi-conducteur comportant, en particulier, un transistor présentant trois connexions qui ont la forme de parties dopées d'une couche semi-conductrice principalement polycristalline, qui s'étendent sur une couche isolante et qui se prolongent toutes trois jusque dans une même ouverture prévue dans cette couche isolante. </P><P>Dans l'ouverture, la couche semi-conductrice déposée est présente sur la surface d'un corps semi-conducteur monocristallin et les parties dopées sont adjacentes aux trois zones semiconductrices du transistor. Pendant la fabrication, après que la couche semi-conductrice ait été appliquée sur la couche isolante et dans l'ouverture, au moins deux opérations de dopage locales sont exécutées, le bord de l'ouverture restant toujours couvert.</P>
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