| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zur Herstellung von elektrischen Leitverbindungen zwischen zwei Metallebenen einer Halbleiterstruktur wird die erste Metallebene (19) durch eine dünne, leitende Metallschicht (20) bedeckt, deren Material eine geringe Ätzgeschwindigkeit aufweist. Diese Metallschicht wirkt im nachfolgenden Beschichtungsverfahren als Ätzsperre, wodurch das Leitungsmuster der ersten Metallebene (19) geschützt wird. Ober der Metallschicht (20), die als eine Ätzsperre wirkt, wird eine Zwischenmetallschicht aufgetragen, deren Material eine höhere Ätzgeschwindigkeit aufweist als das Material der als Ätzsperre wirkenden Metallschicht. Durch ein Ätzverfahren werden aus dem Material der Zwischenmetallschicht nach einem vorgegebenen Muster erhöhte Bereiche (21') gebildet, welche nach der Herstellung von Isolier- und Metallschichten (28, 20) mit der zweiten Metallebene (30) verbunden werden. Das Verfahren bewirkt eine höhere mechanische Festigkeit und geringere Übergangswiderstände an den Kontaktstellen der Verbindungsleitungen, welche die Metallschichten der beiden Metallebenen verbinden.</p> |
