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<p>Procedimiento para la fabricación de un dispositivo semiconductor, en donde se forma un diseño conductor por deposición de una capa de silicio policristalino, caracterizado porque comprende depositar titanio o tántalo sobre el silicio policristalino y sinterizar para producir siliciuro de titanio o de tántalo, respectivamente, dejando un exceso de silicio policristalino.</p> |
