| 发明名称 |
PRODUCTION OF SILICON CARBIDE CRYSTAL LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS55100299(A) |
申请公布日期 |
1980.07.31 |
| 申请号 |
JP19790007834 |
申请日期 |
1979.01.25 |
| 申请人 |
SHARP KK |
发明人 |
INOOKU TOSHIKI;SAKURAI TAKESHI |
| 分类号 |
C30B19/00;C30B29/36;H01L21/205;H01L21/208;H01L21/368 |
主分类号 |
C30B19/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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