| 摘要 |
<P>Eléments semi-conducteurs. </P><P>On forme un film semi-conducteur amorphe, de préférence en vaporisant du silicium ou analogue dans une enceinte sous vide et en condensant celui-ci sur un substrat dans ladite enceinte, puis, de préférence en même temps, on introduit au moins un agent compensateur dans le film, et de préférence au moins deux ou trois de ces agents, tels que de l'hydrogène et du fluor activés, dans des quantités qui réduisent sensiblement ou éliminent les états localisés de la bande interdite du film de manière à pouvoir ajouter des dopants et produire des films semi-conducteurs amorphes de type p ou n. </P><P>Fabrication d'un film semi-conducteur amorphe pourvu de propriétés semi-conductrices.</P>
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